2026年8月28日
AI 晶片持續增加邏輯晶粒與高頻寬記憶體(High Bandwidth Memory,HBM)的整合規模,先進封裝的競爭焦點也逐漸從「能否整合」轉向「能否做得更大、互連更短,並維持可接受的良率與成本」。 CoWoS、CoPoS 與 CoWoP 的名稱相似,實際解決的問題卻不相同:CoWoS 是已進入量產的 2.5D 封裝平台;CoPoS 嘗試將部分製程從圓形晶圓移至矩形面板;CoWoP 則更進一步探索由高階 PCB 承接部分封裝基板功能的可能性。 對 PCB 工程師而言,真正值得關注的不是縮寫本身,而是封裝與系統板之間的界線正在移動。
CoWoS 是 Chip-on-Wafer-on-Substrate 的縮寫。其核心概念是先透過中介層整合 GPU、ASIC、Chiplet 與 HBM,再將整體結構連接至封裝基板。
中介層提供比一般 PCB 或有機載板更細密的互連,可縮短晶粒間的訊號路徑、提高頻寬,並降低部分 I/O 的傳輸功耗。台積電目前公開的 CoWoS 技術包括三種主要架構:
| 技術 | 中介層結構 | 主要特性 | | :--- | :--- | :--- | | CoWoS-S | 矽中介層 | 互連密度高,支援 TSV 與嵌入式深溝槽電容 | | CoWoS-R | RDL 中介層 | 以聚合物與銅線路構成,尺寸延伸較具彈性 | | CoWoS-L | RDL+局部矽互連 LSI | 僅在高密度區域使用矽互連,兼顧尺寸與局部線路密度 |
根據台積電公開資料,CoWoS-S 可支援約 3.3 倍光罩尺寸、約 2,700 mm² 的中介層;當封裝需要超過此範圍時,CoWoS-L 或 CoWoS-R 具有較好的尺寸延伸空間。
三者並非單純的高、中、低階排序。設計團隊必須依晶粒間頻寬、封裝尺寸、電源完整性、熱機械應力與成本目標選擇架構。
CoPoS 通常被解讀為 Chip-on-Panel-on-Substrate。其發展動機,是嘗試以矩形面板承載 RDL 與晶片整合製程,改善圓形晶圓在超大型封裝上的面積利用率。
如果將大尺寸封裝排列在 300 mm 圓形晶圓上,晶圓邊緣容易留下無法完整利用的區域。矩形面板理論上能提高排版效率,也可能在單次製程中容納更多封裝單元。
然而,面板化並不只是把載體由圓形改成方形。尺寸放大後,製程必須重新處理:
因此,CoPoS 的成本優勢不能只用「面積利用率較高」推論。設備投資、製程良率、材料選擇與客戶驗證都會影響最終經濟性。
目前公開報導提及 310 × 310 mm,以及更大面板尺寸的研發方向,但實際量產規格、時程與客戶仍應以技術供應商正式公告為準。
CoWoP 一般被稱為 Chip-on-Wafer-on-Platform PCB。市場討論的核心,是減少傳統架構中的封裝基板與部分 BGA 連接層級,讓晶片與中介層組合更直接地連接至高階 Platform PCB。
傳統路徑大致為:
晶片/HBM → 中介層 → 封裝基板 → BGA → 系統 PCB
CoWoP 概念則試圖縮短為:
晶片/HBM → 中介層或重組結構 → 高階 Platform PCB
減少互連層級,理論上可能縮短訊號與電源路徑,並降低部分寄生電感與介面損耗。不過,原本由封裝基板承擔的工作不會消失,而是轉移到 PCB。
這將對 Platform PCB 提出更嚴格的要求,包括:
CoWoP 因此不是「用一般主機板取代 ABF 載板」,而是要求 PCB 技術向封裝級互連能力靠近。
截至本文整理時,CoWoP 的產品導入、實際結構與量產時程主要仍來自市場及供應鏈消息,尚不宜視為已完成標準化的量產平台。原始文章提到特定 NVIDIA Rubin 晶片可能採用此架構,但目前未找到 NVIDIA 官方資料足以證實,應保留為待驗證資訊。
| 比較項目 | CoWoS | CoPoS | CoWoP | | :--- | :--- | :--- | :--- | | 核心目標 | 高密度整合邏輯晶粒與 HBM | 以面板提高大型封裝的製程與面積效率 | 縮短封裝至系統 PCB 的互連層級 | | 主要載體 | 矽或 RDL 中介層+封裝基板 | 面板式 RDL+封裝基板 | 中介層/重組結構+高階 PCB | | 成熟度 | 已量產,且有多種正式技術分支 | 研發與試驗線發展階段 | 概念驗證及供應鏈送樣階段 | | 關鍵風險 | 中介層尺寸、封裝翹曲、散熱與成本 | 大面積對位、翹曲、均勻性與良率 | PCB 細線化、平坦度、可靠度與測試 | | PCB 影響 | 高速、高層數系統板需求增加 | 面板材料與設備技術可能交會 | PCB 直接承接部分封裝級功能 |
三種技術並非單一路線的連續世代,也不一定互相取代。未來產品可能依晶片規模、成本、頻寬、電源與散熱條件,採用不同架構或混合方案。
對 PCB 供應鏈而言,CoWoP 是否按特定時程量產固然重要,但更實際的工作是提前建立封裝級要求所需的製造能力。
專案評估時可優先確認:
這些條件彼此牽動。例如,為增加載流能力而提高銅厚,可能加大細線蝕刻難度;縮小微盲孔可以提升互連密度,卻會提高雷射鑽孔、除膠渣、電鍍與可靠度控制的要求。規格不能獨立最佳化,必須從整體結構進行 DFM 評估。
CoWoS 已證明中介層能有效整合大型邏輯晶片與 HBM;CoPoS 嘗試以面板化突破尺寸及製造效率限制;CoWoP 則把問題推得更遠——當部分封裝功能轉移至 Platform PCB,PCB 將不再只是承載封裝元件的主機板,而可能成為高密度系統整合的一部分。
對 R&D 團隊而言,現階段不需要把所有新縮寫立即納入產品規格,但應持續追蹤細線路、微盲孔、大尺寸翹曲、高電流供電、低損耗材料與封裝級測試要求。
若專案涉及 AI 伺服器、高速運算或大型高層數 PCB,建議在疊構與 Layout 定案前進行材料及 DFM 審查。eCloud 工程團隊可協助評估板材、阻抗結構、微盲孔配置與製程風險,避免封裝端的規格變化在打樣後才轉化為成本或良率問題。